单位文秘网 2021-07-27 08:17:54 点击: 次
新颖半导体器件的商业化发展要求这些器件的性质尽可能全面,同时又尽快地被检测。本书包括了与器件建模研究有关的某些数学与数值技术。 本书共有15章,分成两个部分。第一部分是综述与物理方程,包括第1-6章。1.器件建模综述;2.量子力学;3.平衡热力学与统计力学;4.态密度及应用-1;5.态密度及应用-2;6.输运方程与器件方程。在这部分中,作者介绍了构成半导体器件建模支柱的基本物理学理论,针对器件应用详尽地介绍了量子力学与统计力学。它还包括了对有效质量近似及在高电子迁移晶体管中形成的量子阱态密度的讨论。第二部分是数学与数值方法,包括第7-15章。7.基本的近似与数值方法;8.费米积分及连带积分;9.迎风方法;10.方程解:牛顿方法与简化方法;11.方程解:相位平面方法;12.方程解:多重网格方法;13.薛定谔方程的近似及数值解;14.遗传算法与模拟退火;15.网格的生成。最后是附录A收缩映射理论。这一部分提供了对用于耦合建模方程解的某些主要数学与数值方法的讨论。虽然遗传算法不能独立用于器件模拟全过程,但是作者发现该方法在辅助解决某些优化问题时,还是非常有用的。
本书适合于电气工程及半导体器件物理领域的大学高年级学生、研究生、讲师及研究人员以及其他数学和物理专业刚开始涉及器件建模的学生阅读。
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